進(jìn)步導(dǎo)電性技能

真空條件下，在膜表面構(gòu)成導(dǎo)電性納米級(jí)薄膜的技能，使用于柔性印制電路板、觸摸板通明導(dǎo)電薄膜等產(chǎn)品。

濺射堆積技能 

在氬氣中對(duì)方針施加高壓時(shí)，便會(huì)構(gòu)成 Ar+ 和電子組成的等離子體。 Ar+ 在電場(chǎng)中加快，會(huì)對(duì)方針產(chǎn)生影響，終究噴射出方針物質(zhì)。 有些情況下，噴射出的原子會(huì)直接沉積到基膜上，而另一些情況下，如果如氧氣等活性氣體混入氬氣中時(shí)，則會(huì)沉積出包含方針物質(zhì)和氧氣的化合物。 ITO 通明導(dǎo)電膜便歸于后一種，經(jīng)過彌補(bǔ) In2O3-SnO2 方針物質(zhì)中的氧氣（在分化過程中失去）構(gòu)成。